Banyumas Raya
Jakarta – Western Digital mengumumkan bahwa teknologi NAND 3D generasi kelima, BiCS5, sudah berhasil dikembangkan. Peluncuran teknologi ini memperlihatkan kesuksesan perusahaan yg berkelanjutan dalam memberikan teknologi memori flash paling mutakhir.
BiCS5, dikembangkan dengan teknologi triple-level-cell (TLC) dan quad-level-cell (QLC) yg memberikan kapasitas, kinerja, dan reliabilitas yg luar biasa dengan harga yg kompetitif.
Hal ini menjadikan BiCS5 teknologi yg ideal bagi menjawab pertumbuhan data eksponensial yg terkait dengan mobil yg terhubung, perangkat seluler, dan artificial intelligence.
Western Digital sudah memulai produksi awal BiCS5 TLC dalam chip 512-gigabit (Gb). Saat ini, Western Digital telah memasuki proses pengiriman produk-produk konsumen yg dibangun dengan teknologi baru.
Produksi BiCS5 dalam volumekomersial yg signifikandiharapkan bisa dikerjakan pada semester kedua tahun ini. BiCS5 TLC dan BiCS5 QLC mulai tersedia dalam berbagai kapasitas memori, termasuk 1,33 terabit (Tb).
“Memasuki ke tahap berikutnya, pendekatan baru bagi penskalaan NAND 3D sangat utama bagi selalu memenuhi tuntutan peningkatan volume dan kecepatan data,” kata Steve Paak, Senior Vice President of Memory Technology and Manufacturing Western Digital, dalam siaran pers yg diterima
Menurut dia, kesuksesan produksi BiCS5 yaitu bukti dari kepemimpinan Western Digital yg berkelanjutan dalam teknologi memori flash dan eksekusi yg kuat bagi roadmap perusahaan.
“Dengan memanfaatkan peningkatan baru pada teknologi multi-tier memory hole kita buat meningkatkan densitas secara lateral serta menambahkan lebih banyak lapisan penyimpanan, kalian sudah meningkatkan kapasitas dan kinerja teknologi 3D NAND kita secara signifikan, dengan selalu memberikan reliabilitas dan harga yg diharapkan oleh pelanggan kami,” imbuh dia.
Dibangun dengan memanfaatkan berbagai teknologi baru dan inovasi-inovasi manufaktur, BiCS5 adalah densitas tertinggi Western Digital dan teknologi 3D NAND tercanggih hingga ketika ini.
Teknologi multi-tier memory hole generasi kedua meningkatkan proses rekayasa yg lebih baik, dan peningkatan sel 3D NAND lainnya secara signifikan serta meningkatkan densitas cell array secara horizontal di segala wafer.
Peningkatan ‘penskalaan lateral’ ini dalam kombinasi dengan 112 lapisan kemampuan memori vertikal memungkinkan BiCS5 bagi menawarkan hingga 40 persen* bit kapasitas penyimpanan lebih banyak per wafer dibandingkan dengan teknologi Western-layer 96-layer BiCS4 serta mengoptimalkan biaya.
Peningkatan desain baru juga mempercepat kinerja BiCS5 yg memungkinkan bagi menawarkan kinerja I/O hingga 50 persen lebih cepat dibandingkan dengan BiCS4.
Teknologi BiCS5 dikembangkan bersama dengan mitra teknologi dan manufaktur Kioxia Corporation. BiCS5 mulai diproduksi di fasilitas fabrikasi bersama di Yokkaichi di Perfektur Mie, Jepang dan Kota Kitakami, Perfektur Iwate, Jepang.
Pengenalan teknologi BiCS5 dibangun di atas portofolio lengkap teknologi Western Digital NAND 3D bagi digunakan dalam data-centric elektronik pribadi, smartphone, perangkat IoT dan data center.
Sumber: http://teknologi.inilah.com
BanyumasRaya.com
